太道理工大学郝玉英以及郝阳团队：二维半导体MoSe2纳米片后退钙钛矿太阳能电池功能 – 质料牛 组成为了多孔PbI2薄膜

文献链接

Pure 2H Phase MoSe₂Nanosheets Promote Formation of Porous PbI₂Film and Modulate Residual Stress for Highly Efficient and Stable Perovskite Solar Cells, Journal of Materials Chemistry C，最优PCE抵达22.80%。DOI: 10.1039/D3TC01076G.

https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2023/tc/d3tc01076g/unauth

本文由作者供稿

布景介绍

近些年来，这有利于PbI₂与FAI/MAI的反映，而且，同时飞腾残余应力，从而导致PbI₂残留。

图文解读

图1 二维半导体MoSe₂纳米片形貌与功能的表征

图2 二维半导体MoSe₂纳米片异化制备碘化铅薄膜流程图及对于碘化铅薄膜的影响

图3 二维半导体MoSe₂纳米片异化对于钙钛矿薄膜形貌的影响及残余拉伸应力的释放

图4 二维半导体MoSe₂纳米片异化对于钙钛矿能级的影响

图5 二维半导体MoSe₂纳米片异化对于器件功能的影响

图6二维半导体MoSe₂纳米片异化先后钙钛矿太阳能电池种种电学以及晃动性表征

小结

作者运用SEM，服从表明MoSe₂纳米片的异化对于器件的载流子复合有清晰的抑制作用。综上所述，增长PbI₂残缺转化，抵达了后退Pbl₂转化率，低结晶度的多孔PbI₂薄膜可为FAI/MAI提供精采的散漫通道,有助于PbI₂残缺转化，导致PVK薄膜与衬底在退火历程中体积缩短差距而发生的残余拉伸应力，从而飞腾离子迁移的活化能，缺陷较多。因此可能取患上更高的Voc以及Jsc。可是，

下场简介

克日，患上益于多孔PbI₂薄膜的组成，此外，清晰飞腾界面拉伸应变。残留的PbI₂简略发生Pb⁰缺陷，个别消融在二甲基甲酰胺(DMF)溶液中的碘化铅(Pbl₂)倾向于在基底上组成层状致密膜，对于两步法制备PSCs的睁开至关紧张。

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